Plošča iz kristalnega silicija

Plošča iz kristalnega silicija

Ta serija plošč iz kristalnega silicija je zasnovana za zagotavljanjemočna strukturna stabilnost, ki služi kot visoko{0}}zmogljiv substrat za najzahtevnejša polprevodniška okolja. Podpira celoten industrijski spekter od2-palčni (50 mm) do 12-palčni (300 mm), so te plošče izdelane z naprednimi metodami vlečenja Czochralskega (CZ), da se zagotovi skoraj-popolna atomska razporeditev, ki je bistvenega pomena za ohranjanje električne in mehanske natančnosti med zapletenim skaliranjem naprave.

Napredna obdelava prek Crystal Integrity:Thevisoka kristalna celovitost-za katerega je značilna ultra-nizka dislokacijska jedkana gostota jamic (EPD)-podpira napredno obdelavo naprave, vključno z globoko-submikronsko fotolitografijo in visoko{1}}energijsko ionsko implantacijo. Ta popolnost mreže preprečuje nastanek drsnih linij in mikro-razpok, s čimer zagotavlja, da kritične značilnosti ohranijo svojo geometrijsko natančnost v celotnem zaporedju-konca--linije (FEOL).

Odpornost pri več-obremenitvah:Substratdeluje izjemno dobro pri toplotnih in električnih obremenitvah, zaradi česar je idealen za-okolja visoke moči. Z optimiziranjem ravni koncentracije kisika in ogljika plošča izkazuje vrhunsko toplotno prevodnost in dielektrično trdnost, s čimer se minimalizirajo nihanja mobilnosti nosilca, ki jih povzroči toplotaPower IC in visoko{0}}učinkovite energetske aplikacije.

Produktivnost-Osredotočen nadzor kakovosti: Dosledna kakovostmed serijami se doseže s strogim statističnim nadzorom procesa (SPC) nad radialno upornostjo in TTV. Ta zanesljivostizboljša splošno učinkovitost proizvodnjez zmanjšanjem potrebe po ponovni kalibraciji stroja in zmanjševanjem stopnje odpadkov, kar zagotavlja robustno rešitev za avtomatizirane proizvodne linije v sektorju avtomobilske industrije in industrijske elektronike.

Priljubljena oznake: plošča iz kristalnega silicija, proizvajalci, dobavitelji, tovarna plošč iz kristalnega silicija na Kitajskem