Struktura silicijeve rezine

Struktura silicijeve rezine

Naše polprevodniške strukture-silicijevih rezin so zasnovane na atomski ravni, da olajšajo visoko nadzorovano izdelavo v celotnem50 mm do 300 mm (2-12 palcev)spekter premera. Z uporabo naprednihCzochralski (CZ) in Float Zone (FZ)z metodologijami vlečenja kristalov zagotavljamo nedotaknjeno mrežo-brez napak, ki služi kot gostitelj visoke-integritete za epitaksialno rast in visoko{2}}odmerno ionsko implantacijo.

Glavne diferencirane prednosti:

Homogenost ravni-mreže:Za razliko od hibridnih-materialov imajo naše rezine izjemno-enotne notranje lastnosti-posebej nadzorovano intersticijsko vsebnost kisika in ogljika. To preprečuje toplotno obarjanje med visoko-hlapnim vakuumskim žarjenjem, kar zagotavlja predvidljive električne profile zaPower IC (IGBT/MOSFET) in RF moduli.

Termomehanska odpornost:Optimizirana strukturna celovitost zagotavlja, da se vsaka rezina dosledno obnaša med ekstremnimi cikli obdelave, od visoko{0}}temperaturne difuzije do mehanskega povratnega-brušenja. Ta stabilnost je ključnega pomena za vzdrževanjesub-mikronska sprememba skupne debeline (TTV)in preprečevanje lomljenja rezin v avtomatiziranih 300 mm livarskih linijah.

Natančnost, ki jo- poganja donos:Vsaka podlaga je zasnovana tako, da izpolnjuje in presega stroga industrijska pričakovanja glede ravni-lokacije (SFQR). Ta natančnost podpira razširjeno globino--ostrenja (DOF) v napredni fotolitografiji, kar je neposredno povezano z znatnim zmanjšanjem zamika procesa in dvigom zanesljivosti končne naprave.

Priljubljena oznake: struktura silicijeve rezine, proizvajalci, dobavitelji, tovarna strukture silicijeve rezine na Kitajskem