Površina silicijeve rezine

Površina silicijeve rezine

Naša površina polprevodni-silicijeve rezine je natančno zasnovana za optimalno delovanje pri integraciji z visoko-gostoto. Vsak substrat je podvržen več-korakomKemijsko mehansko poliranje (CMP)proces dosečiAngstrom-hrapavost površine (Ra)in vrhunsko globalno ravnost. To zagotavlja, da je rezina pripravljena za najzahtevnejšo pod-mikronsko litografijo in vzorčenje visoke-ločljivosti.

Tehnične prednosti:

Brezkompromisna površinska celovitost:Visoko-kakovostna polirana površina je brez mikro-prask in jam, kar zagotavlja nedotaknjeno podlago, ki zmanjšuje gostoto napak med nanašanjem tankega-sloja (CVD/PVD).

Električna enotnost:Zagotavljamo dosledne električne lastnosti-vključno z natančnim nadzorom upornosti in mobilnostjo nosilca-po celotni površini rezin, od 2-palčnih starih velikosti do 12-palčnih naprednih substratov.

Združljivost z naprednimi procesi:Naše površine, zasnovane za podporo vrhunske-izdelave polprevodnikov, nudijo odličen oprijem za fotorezist in visoko stabilnost med kompleksno epitaksialno rastjo.

Industrijska zanesljivost:Ustvarjen za visoko{0}}zmogljive aplikacije vNapajalne naprave (IGBT/MOSFET), RF mikroelektronika in MEMS, naše 2-12" rezine zagotavljajo stabilne proizvodne rezultate in visoko produktivnost za globalne tovarne.

Priljubljena oznake: površina silicijeve rezine, proizvajalci, dobavitelji, tovarna površine silicijeve rezine na Kitajskem